[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供一种能够提高元件的耐性的半导体器件。实施方式的半导体器件具备：第1半导体层；第2半导体层；第3半导体层，具有第1半导体区域和第2半导体区域沿着相对第1半导体层与第2半导体层的层叠方向垂直的第1方向交替排列的构造；第4半导体层，具有第3半导体区域和第4半导体区域沿着第1方向交替排列的构造；以及第5半导体层，设置于所述第3半导体区域上以及所述第4半导体区域上。第2半导体区域中包含的杂质元素的浓度高于第1半导体区域中包含的杂质元素的浓度。第3半导体区域中包含的杂质元素的浓度高于第4半导体区域中包含的杂质元素的浓度。第3半导体层和第4半导体层的界面与第5半导体层的下端之间的第1长度比界面与第2半导体层的上端之间的第2长度长。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，具备：第1导电类型的第1半导体层；第2导电类型的第2半导体层，设置于所述第1半导体层之上；第3半导体层，设置于所述第2半导体层之上，并且具有第1导电类型的第1半导体区域和第2导电类型的第2半导体区域沿着相对所述第1半导体层与所述第2半导体层的层叠方向垂直的第1方向交替排列的构造；第4半导体层，设置于所述第3半导体层之上，并且具有第1导电类型的第3半导体区域和第2导电类型的第4半导体区域沿着所述第1方向交替排列的构造；第1导电类型的第5半导体层，设置于所述第4半导体层之上；第2导电类型的第6半导体层，设置于所述第5半导体层之上；第1电极，隔着绝缘膜而与所述第6半导体层、所述第5半导体层以及所述第4半导体区域相接；第2电极，与所述第6半导体层连接；以及第3电极，与所述第1半导体层连接，所述第1半导体区域与所述第3半导体区域连接，所述第2半导体区域与所述第4半导体区域连接，所述第2半导体区域中包含的杂质元素的浓度高于所述第1半导体区域中包含的杂质元素的浓度，所述第3半导体区域中包含的杂质元素的浓度高于所述第4半导体区域中包含的杂质元素的浓度，所述第2半导体层的上端与所述第3半导体层和所述第4半导体层的界面之间的第1长度比所述界面与所述第5半导体层的下端之间的第2长度短。