[发明专利]一种MgO纳米带-C纳米管复合材料的制备方法

摘要

一种MgO纳米带-C纳米管复合材料的制备方法，采用射频等离子体增强CVD系统制备，将六水合硝酸镁、六水合硝酸镍溶于乙醇中，作为催化生长MgO纳米带-C纳米管复合材料的前驱体；将混合溶液均匀滴涂在基片上，置于射频等离子体增强CVD的沉积台上，加热分解形成MgO和NiO，通入保护气体和氢气，使得NiO在氢等离子体作用下被还原为Ni纳米金属颗粒，获得Ni-MgO催化体系；通入碳源气体，在其等离子气氛下生长MgO纳米带-C纳米管复合材料。本发明的优点是：制备工艺简单、成本低、合成温度低、产品纯度高，工业化批量生产及应用潜力巨大，在催化剂、生化传感器、微波吸收等光、电、磁、化学领域有广泛的应用前景。

主权项

一种MgO纳米带‑C纳米管复合材料的制备方法，其特征在于：采用射频等离子体增强CVD系统制备，步骤如下：1）将六水合硝酸镍和六水合硝酸镁溶于乙醇中，制得混合溶液作为催化剂前驱体；2）将上述混合溶液均匀滴涂在基片上，置于红外灯下烘干，然后放于射频等离子体增强CVD系统沉积室的沉积台上；3）关闭沉积室并抽真空，当真空度小于0.1Pa时，通入流量为5‑200mL/min的保护气体和10‑300mL/min的H2，当压强回升至100‑1000Pa时，将样品台在350‑1000℃的条件下加热0.5‑2.5小时，使前驱物热分解形成MgO和NiO；4）施加50‑500W的射频功率，在氢等离子体的作用下还原NiO，还原时间为0.5‑2.5小时，形成Ni纳米金属颗粒，获得MgO纳米带‑C纳米管复合材料生长所需的Ni‑MgO催化体系；5）通入气体流量为10‑200mL/min的碳源气体，在压强为20‑1000Pa、衬底温度为300‑1000℃条件下，施加射频功率50‑500W，反应0.5‑4.5个小时，连续生长即可制得MgO纳米带‑C纳米管复合材料。