[发明专利]一种透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310028623.5 申请日: 2013-01-25
公开(公告)号: CN103114269A 公开(公告)日: 2013-05-22
发明(设计)人: 邹友生;汪海鹏;张亦弛;涂承君;楼东;董宇辉;窦康 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: C23C14/28 分类号: C23C14/28;C23C14/08;C23C14/58
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 马鲁晋
地址: 210094 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: CuAlO2透明导电薄膜具有宽禁带、低电阻率、可见光范围高光学透过率等特性,可广泛应用于太阳能电池、平面显示、电磁防护罩、功能窗、传感器以及其它光电器件领域。本发明涉及一种p型CuAlO2光电薄膜材料,提供了一种结晶质量好、高c轴取向、高透过率的CuAlO2薄膜制备方法。本发明首先采用脉冲激光沉积技术,以CuAlO2为靶材,在蓝宝石衬底上沉积CuAlO2薄膜,然后对制备的薄膜样品进行了900-1100℃高温气氛退火处理,获得了高结晶度、均匀致密、高c轴择优取向的纯相CuAlO2薄膜。本发明制备工艺简单、容易控制、重复性好、沉积速率稳定、绿色环保。
搜索关键词: 一种 透明 导电 氧化物 cualo sub 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法,其特征在于,采用脉冲激光等离子体沉积技术,以CuAlO2为靶材,在蓝宝石衬底上沉积CuAlO2薄膜,并通过高温气氛退火处理提升其结晶质量,具体包括以下步骤:步骤1、采用蓝宝石为衬底材料,并对蓝宝石衬底进行表面清洗处理;步骤2、安装CuAlO2陶瓷靶材,将表面清洗干净的蓝宝石衬底送入脉冲激光沉积系统的真空生长腔,并将其固定在衬底支架上,使衬底正面与靶材保持正对;步骤3、采用机械泵和分子泵对真空生长腔抽真空,抽真空后的本底真空度小于或等于3×10‑4Pa;步骤4、加热衬底,使衬底升到所需温度,并向真空室内通入工作气体,通过控制气体流量,稳定腔内气压在一个固定值;步骤5、开启激光器,通过激光烧蚀CuAlO2靶材,调节激光的能量、脉冲频率、工作气压、衬底温度和沉积时间这些工艺参数,在蓝宝石衬底上沉积CuAlO2薄膜;步骤6、沉积结束后,关闭激光、衬底加热、机械泵和通气阀门,待样品冷却到室温取出;步骤7、将沉积的样品放入真空管式炉中,通过机械泵和分子泵对石英管抽真空至5×10‑4Pa,然后再通入保护性气体;步骤8、设置真空管式炉的升温速率,使其加热至所需的退火温度,之后在保护性气氛下对CuAlO2薄膜进行退火热处理;步骤9、退火结束且样品冷却到室温后,关闭管式炉、气瓶阀门,将样品取出。
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