[发明专利]一种温度敏感材料电子元器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201310028847.6 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103137847A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 王晓川;张欣翼;许丽娜 | 申请（专利权）人： | 四川汇源科技发展股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/10 | 分类号： | H01L35/10;H01L35/34 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 张杨 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 温度敏感材料电子元器件及其制备方法，属于电子材料与元器件技术领域。本发明的温度敏感材料电子元器件，包括带有凹槽的衬底、阻挡层、底电极、热释电材料和上电极，在上电极和底电极之间，设置有隔离层，上电极跨越隔离层和隔离层下方的底电极，连接到热释电材料。本发明具有如下的优点和积极效果：基于微机电光刻工艺成熟，能获得各种所需的阻挡层图形；图形的精度很高，加工精度可达数微米，能满足高密度、高精细的制备要求；工艺简单，重复性好，本发明可以有效防止电极间的短路，使热释电厚膜探测器获得良好的性能，且提高了探测器的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 温度 敏感 材料 电子元器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种温度敏感材料电子元器件，包括带有凹槽的衬底(101)、阻挡层(102)、底电极(103)、热释电材料(104)和上电极(106)，其特征在于，在上电极(106)和底电极(103)之间，设置有隔离层(105)，上电极(106)跨越隔离层(105)和隔离层(105)下方的底电极，连接到热释电材料(104)。
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