[发明专利]氮化物半导体结构及半导体发光元件有效
| 申请号： | 201310029679.2 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103972341B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 赖彦霖;吴俊德;李玉柱 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 马雯雯,臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明有关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构包含有一第一型掺杂半导体层与一第二型掺杂半导体层，于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层间配置有一发光层，其中第二型掺杂半导体层掺杂有浓度大于5×1019cm‑3的第二型掺质，且第二型掺杂半导体层具有小于30nm的厚度。该半导体发光元件于一基板上至少包含上述的氮化物半导体结构，以及二相配合地提供电能的第一型电极与第二型电极。由此，使得半导体发光二极管可获得更佳的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 结构 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体结构，其包含有一第一型掺杂半导体层与一第二型掺杂半导体层，于所述第一型掺杂半导体层与所述第二型掺杂半导体层间配置有一发光层，其中，所述第二型掺杂半导体层掺杂有浓度大于5×1019cm‑3的第二型掺质，且其厚度小于30nm；其中，所述发光层与所述第二型掺杂半导体层间配置有一电洞提供层，所述电洞提供层为氮化铝铟镓AlxInyGa1‑x‑yN，其中0<x<1，0<y<1，0<x+y<1，且所述电洞提供层掺杂有浓度大于1018cm‑3的第二型掺质；其中，所述电洞提供层掺杂有浓度为1017‑1020cm‑3的第四主族元素。
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