[发明专利]一种AgSbTe2单晶纳米线阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201310029729.7 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103074687A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 杨友文;李天应;朱文斌;马东明 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C30B30/02 | 分类号： | C30B30/02;C30B29/46;C30B29/62 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 吴启运 |
| 地址： | 230009 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AgSbTe2单晶纳米线阵列的制备方法，是在孔洞均匀一致的阳极氧化铝模板中，利用直流电沉积技术，制备得到沿着[100]方向生长的立方晶体结构的AgSbTe2单晶纳米线及其阵列，晶胞参数为a=0.3039nm。本发明方法是在室温、敞开体系的温和条件下进行的，设备简单、易于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 agsbte sub 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种AgSbTe2单晶纳米线阵列的制备方法，包括多孔氧化铝模板的制备、电解液的配制、电化学沉积以及后处理各单元过程，其特征在于：所述多孔氧化铝模板的制备是采用二次阳极氧化法制备多孔氧化铝模板，所述多孔氧化铝模板中均布孔径50nm的纳米孔，在所述多孔氧化铝模板的反面通过真空蒸镀沉积一层200nm厚的金膜，得到镀金氧化铝模板；所述电解液的配制是配制浓度为0.23mol.L‑1的酒石酸水溶液即为缓冲溶液，向所述缓冲溶液中加入TeO2、KSbOC4H4O6·1/2H2O和AgNO3，使得缓冲溶液中TeO2、KSbOC4H4O6·1/2H2O和AgNO3的浓度分别为1mmol.L‑1、0.5mmol.L‑1和0.5mmol.L‑1，搅拌混合均匀得到电解液；所述电化学沉积是以镀金氧化铝模板为阴极，以石墨作为阳极，在所述电解液中通过电化学沉积得到单晶AgSbTe2纳米线阵列。
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