[发明专利]非易失性存储装置有效
| 申请号： | 201310029876.4 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103247336B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 金载运 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰;刘灿强 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种非易失性存储装置。所述非易失性存储装置包括：操作控制单元、参考电压产生单元和感测单元。操作控制单元被配置为从单位单元选择用于执行读取操作和写入操作的单位单元。参考电压产生单元被配置为使用串联连接的电阻器对读取电压进行分压，并基于经分压的读取电压产生参考电压。感测单元被配置为将基于读取电压的通过选择的单位单元的电可编程熔丝的电压的大小与参考电压进行比较，并感测选择的单位单元的电可编程熔丝的数据。所述非易失性存储装置还包括：读取电流提供单元，被配置为在非易失性存储装置的读取操作期间将读取电压输出到单位单元。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储装置 单位单元 读取电压 参考电压产生单元 操作控制单元 电可编程熔丝 参考电压 感测单元 配置 分压 读取操作期间 读取操作 读取电流 提供单元 写入操作 电阻器 感测 输出 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储装置，包括：多个单位单元，包括电可编程熔丝；读取电流提供单元，在非易失性存储装置的读取操作期间将读取电压提供给所述多个单位单元；操作控制单元，被构造为从所述多个单位单元选择用于执行读取操作和写入操作的单位单元；参考电压产生单元，被构造为使用串联连接的电阻器对读取电压进行分压，并基于经分压的读取电压产生参考电压；感测单元，被构造为将基于读取电压的通过选择的单位单元的电可编程熔丝的电压的大小与参考电压进行比较，并感测选择的单位单元的电可编程熔丝的数据,其中，参考电压产生单元包括：第二电阻器，包括第二预设电阻；第三电阻器，包括第三预设电阻，并被构造为串联连接到第二电阻器；第九开关装置，被构造为将读取电压选择性地输出到第二电阻器；第十开关装置，被构造为使根据读取电压的电流流过第二电阻器和第三电阻器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美格纳半导体有限公司，未经美格纳半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310029876.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
