[发明专利]一种全差分运算跨导放大器有效

专利信息
申请号: 201310029877.9 申请日: 2013-01-25
公开(公告)号: CN103095234A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 李福乐;李玮韬;杨昌宜;王志华 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝;齐辉
地址: 100084 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种全差分运算跨导放大器,具有第一支路和第二支路。第一支路,接收差分输入信号Vin和Vip,包括NMOS管(M31)、NMOS管(M32)、NMOS管(M35)、NMOS管(M314)和NMOS管(M315);第二支路,为套筒式共源共栅结构,接收差分输入信号Vin和Vip并且输出差分输出信号Von和Vop;包括PMOS管(M38)和PMOS管(M39);PMOS管(M38)和PMOS管(M39)的源极均连接至电源VDD,栅极均接入偏置电压Vbp1,PMOS管(M38)的漏极连接于NMOS管(M314)的漏极,PMOS管(M39)的漏极连接于NMOS管(M315)的漏极。
搜索关键词: 一种 全差分 运算 放大器
【主权项】:
一种全差分运算跨导放大器,其特征在于,该全差分运算跨导放大器具有第一支路和第二支路;所述第一支路,接收差分输入信号Vin和Vip,包括N沟道金属氧化物半导体NMOS管(M31)、NMOS管(M32)、NMOS管(M35)、NMOS管(M314)和NMOS管(M315);所述第二支路,为套筒式共源共栅结构,接收差分输入信号Vin和Vip并且输出差分输出信号Von和Vop;包括P沟道金属氧化物半导体PMOS管(M38)和PMOS管(M39);PMOS管(M38)和PMOS管(M39)的源极均连接至电源VDD,栅极均接入偏置电压Vbp1,PMOS管(M38)的漏极连接于NMOS管(M314)的漏极,PMOS管(M39)的漏极连接于NMOS管(M315)的漏极;NMOS管(M31)的栅极接收差分输入信号Vin,源极连接于NMOS管(M35)的漏极,漏极连接于NMOS管(M314)的源极;NMOS管(M32)的栅极接收差分输入信号Vip,源极连接于NMOS管(M35)的漏极,漏极连接于NMOS管(M315)的源极;NMOS管(M35)的源极接地,漏极连接于NMOS管(M31)的源极和NMOS管(M32)的源极,栅极接入偏置电压Vbn1;NMOS管(M314)的栅极接入偏置电压Vbn2,源极连接于NMOS管(M31)的漏极,漏极连接于PMOS管(M38)的漏极;NMOS管(M315)的栅极接入偏置电压Vbn2,源极连接于NMOS管(M32)的漏极,漏极连接于PMOS管(M39)的漏极。
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