[发明专利]氮化物半导体结构及半导体发光元件无效
| 申请号： | 201310029901.9 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103972342A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 王信介;李玉柱;吴俊德;林京亮;李允立 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 姚亮 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构主要于发光层与n型半导体层间配置有一次微米等级厚度的应力释放层，应力释放层由不超过8对彼此交替堆栈的InxGa1-xN层及InyGa1-yN层所构成，其中x及y为满足0＜x＜1、0＜y＜1、x＜y。该半导体发光元件至少包含上述氮化物半导体结构，一基板以及二相配合地提供电能的n型电极与p型电极。由此，具较少堆栈层数的应力释放层能有效减小因晶格不匹配所产生的残余应力与磊晶缺陷，且具次微米厚度(优选为0.1-0.5微米)的应力释放层使得于磊晶过程中，精确控制组成比例，以有效掌控发光二极管的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 结构 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体结构，包含一n型半导体层、发光层与一p型半导体层，于所述发光层与所述n型半导体层间配置有一次微米等级厚度的应力释放层，所述应力释放层由不超过8对彼此交替堆栈的InxGa1‑xN层及InyGa1‑yN层所构成，其中x及y为满足0＜x＜1、0＜y＜1、x＜y的数值。
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