[发明专利]太阳能电池无效
申请号: | 201310029957.4 | 申请日: | 2013-01-25 |
公开(公告)号: | CN103151395A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 赖忠威;梁硕玮 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/04 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;王颖 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种太阳能电池包含结晶硅基材、多个P型半导体材料层、多个N型半导体材料层、多个第一正极集电部、至少一第一电极总线部、多个第一负极集电部、多个第二正极集电部、至少一第二电极总线部、多个第二负极集电部与至少一第三电极总线部。太阳能电池通过第一正极集电部、第一电极总线部、第一负极集电部、第二电极总线部、第二正极集电部、第二电极总线部、第二负极集电部与第三电极总线部的排列方式组成多个电池次单元来提升其输出电压。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于,包含:一结晶硅基材,具有相对的一迎光面与一背光面;多个P型半导体材料层;多个N型半导体材料层,与这些P型半导体材料层间隔地交替排列于该结晶硅基材的该背光面上;多个第一正极集电部,排列于该结晶硅基材的该背光面,且分别电性接触这些P型半导体材料层其中至少一者;至少一第一电极总线部,位于该结晶硅基材的该背光面,并电性连接这些第一正极集电部;多个第一负极集电部,与这些第一正极集电部间隔地交替排列于该结晶硅基材的该背光面,且分别电性接触这些N型半导体材料层其中至少一者;多个第二正极集电部,排列于该结晶硅基材的该背光面,且分别电性接触这些P型半导体材料层其中至少一者;至少一第二电极总线部,位于该结晶硅基材的该背光面,并电性连接这些第一负极集电部与这些第二正极集电部;多个第二负极集电部,与这些第二正极集电部间隔地交替排列于该结晶硅基材的该背光面,且分别电性接触这些N型半导体材料层其中至少一者;以及至少一第三电极总线部,位于该结晶硅基材的该背光面,并电性连接这些第二负极集电部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310029957.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的