[发明专利]电容式微硅麦克风的制造方法有效
申请号: | 201310030499.6 | 申请日: | 2013-01-28 |
公开(公告)号: | CN103974181B | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | 李刚;胡维;梅嘉欣 | 申请(专利权)人: | 苏州敏芯微电子技术有限公司 |
主分类号: | H04R31/00 | 分类号: | H04R31/00 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 | 代理人: | 杨林洁 |
地址: | 215006 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种电容式微硅麦克风的制造方法,包括如下步骤S1提供衬底;S2在衬底的正面淀积绝缘材料以形成第一绝缘层;S3在第一绝缘层上淀积导电物质以形成可动敏感层,在所形成的可动敏感层上形成若干窄槽以定义振动体、围设在振动体的外围的框体以及连接框体和振动体的梁;S4在可动敏感层上淀积绝缘材料以形成第二绝缘层,在第二绝缘层上淀积导电物质以制作背极板;S5在背极板上形成若干声孔;S6在所述可动敏感层和所述背极板上形成金属压焊点;S7在衬底上形成背腔,背腔自衬底的背面朝正面延伸并贯穿衬底;以及,S8去除部分第一绝缘层以于衬底背面露出振动体并使振动体和梁悬空,去除振动体、梁与背极板之间的第二绝缘层。 | ||
搜索关键词: | 电容 式微 麦克风 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种电容式微硅麦克风的制造方法,其特征在于:所述电容式微硅麦克风的制造方法包括如下步骤:S1:提供具有正面和背面的衬底;S2:在所述衬底的正面采用低压化学气相沉积工艺淀积绝缘材料以形成第一绝缘层;S3:在所述第一绝缘层上采用低压化学气相沉积工艺淀积导电物质以形成可动敏感层,在所形成的可动敏感层上采用光刻、腐蚀掩膜和各向异性刻蚀工艺形成若干窄槽以定义振动体、围设在振动体的外围的框体以及连接框体和振动体的梁;S4:在所述可动敏感层上采用低压化学气相沉积工艺淀积绝缘材料以形成第二绝缘层,在所述第二绝缘层上采用低压化学气相沉积工艺淀积导电物质以形成背极板;S5:在所述背极板上采用光刻、腐蚀掩膜和各向异性刻蚀工艺形成若干声孔;S6:在所述可动敏感层和所述背极板上形成金属压焊点;S7:在所述衬底上进行深硅刻蚀制作背腔,所述背腔自所述衬底的背面朝正面延伸并贯穿所述衬底;以及,S8:采用缓冲氢氟酸溶液湿法腐蚀去除部分第一绝缘层以于衬底背面露出振动体并使所述振动体和梁悬空,去除振动体、梁与背极板之间的第二绝缘层。
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