[发明专利]蕲山药试管零余子快速繁殖方法无效

专利信息
申请号: 201310031033.8 申请日: 2013-01-28
公开(公告)号: CN103190342A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 康薇;郑进 申请(专利权)人: 湖北理工学院
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 张安国;伍见
地址: 435003 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 一种蕲山药试管零余子快速繁殖方法,以通过茎尖组织培养获得的蕲山药脱毒试管苗为外植体,以改良的MS为培养基,该培养基中NH4NO3质量含量为MS培养基的1/4~3/4,同时添加BA、NAA、蔗糖、琼脂和活性炭,调节pH,置于半固体培养基上培养;在光照时数12h/d,光照强度2500lux,培养温度25±2℃下诱导、培养蕲山药试管零余子。用带3~4片叶且去掉顶芽的蕲山药无根脱毒试管苗为外植体,直接接种于试管零余子诱导培养基上,培养周期10w,试管零余子诱导率93%以上,零余子发生个数达3.69个/株,每年生产4~5次,可工厂化生产。本方法能改善品质、保持种的纯度,克服大田生产零余子存在的不足。
搜索关键词: 山药 试管 零余子 快速 繁殖 方法
【主权项】:
一种蕲山药试管零余子的繁殖方法,其特征在于:以通过茎尖组织培养获得的蕲山药脱毒试管苗为外植体,以改良的MS培养基为培养基,该培养基中NH4NO3含量为MS培养基的1/4~3/4,同时添加植物生长物质BA1.0mg/L、NAA0.5mg/L、蔗糖80.0g/L、琼脂4.5g/L、活性炭0.5g/L,调节pH为5.8~6.0,置于半固体培养基上培养;在光照时数12h/d,光照强度2500lux,培养温度25±2℃条件下诱导、培养蕲山药试管零余子。
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