[发明专利]半导体器件制造方法

摘要

本发明提供了一种石墨烯器件的制造方法，基于叠层方法自限制生长石墨烯纳米带器件。在本发明的方法中，利用多层介质层和金属层的叠层结构，自限制地在金属层侧面原位生长石墨烯纳米带，通过设定金属层的层数和厚度，可以获得宽度在5nm以内的高精度的石墨烯纳米带，并且可以高度控制石墨烯纳米带的宽度和均一性，具有吞吐量大、适于大规模集成的特点；同时，本发明获得的石墨烯纳米带的边缘粗糙度低，可用于制备三维的石墨烯器件而具有极高的集成度。

主权项

一种半导体器件制造方法，用于制造石墨烯器件，其中，包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底上形成由至少一个第一介质层和至少一个金属层交替堆叠形成的叠层，所述第一介质层的材料为二氧化硅、氮化硅或氧化铝，沉积工艺为CVD、PVD、ALD，厚度为10nm～20nm；采用各向异性刻蚀工艺，对所述叠层进行图案化，获得叠层堆垛结构，在所述叠层堆垛结构中，所述至少一个第一介质层和所述至少一个金属层具有暴露的侧面；在所述至少一个金属层的暴露的侧面上生长石墨烯层；全面沉积第二介质层，以填充各个所述叠层堆垛结构之间的空隙；去除所述至少一个第一介质层和所述至少一个金属层，以使所述石墨烯层转移至所述第二介质层的侧面上。