[发明专利]ZnO纳晶/纳米棒聚集体薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310031223.X | 申请日： | 2013-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103077831A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 郑言贞;陶霞;刘玉;陈建峰 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/20;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | ZnO纳晶/纳米棒聚集体薄膜材料及其制备方法，属于无机非金属材料技术和光电材料技术领域。以ZnO纳晶聚集体为晶种，在ZnO纳晶聚集体表面生长有ZnO纳米棒所得的聚集体薄膜，其中纳晶聚集体的直径约为50-2000nm，纳米棒的长度为500-2000nm，直径为20-100nm，薄膜的厚度为0.5-30μm。首先在导电基底上制备ZnO纳晶聚集体薄膜，再将此薄膜倒置于锌源和氨源组成的生长液中，水热生长ZnO纳米棒，于100~500℃热处理0.2~5h。本发明的薄膜用于DSC或HSC电极上具有高效的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | zno 纳晶 纳米 聚集体 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
ZnO纳晶/纳米棒聚集体薄膜，其特征在于，以ZnO纳晶聚集体为晶种，在ZnO纳晶聚集体表面生长有ZnO纳米棒所得的聚集体薄膜，其中纳晶聚集体的直径约为50‑2000nm，纳米棒的长度为500‑2000nm，直径为20‑100nm，薄膜的厚度为0.5‑30μm。
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