[发明专利]多晶硅铸锭工艺有效
申请号: | 201310031945.5 | 申请日: | 2013-01-28 |
公开(公告)号: | CN103046129A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 唐自成;刘华;王悦;王玉卓;任建华 | 申请(专利权)人: | 天津英利新能源有限公司 |
主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06;C30B29/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 301510 天津市滨海新区津汉公*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种多晶硅铸锭工艺,包括步骤:1)对单质硅进行加热,直至单质硅融化;2)冷却熔融的单质硅,并使其凝固,进行长晶,形成硅锭;3)对硅锭进行多次退火处理,且退火温度逐次降低。如此对硅锭进行多次退火处理,可以相应的降低相邻的两次退火温度之间所形成的热应力,多次消除硅锭中的热应力,与现有技术中只进行一次退火处理相比,可有效地降低硅锭中的热应力。 | ||
搜索关键词: | 多晶 铸锭 工艺 | ||
【主权项】:
一种多晶硅铸锭工艺,其特征在于,包括步骤:1)对单质硅进行加热,直至单质硅融化;2)冷却熔融的单质硅,并使其凝固,进行长晶,形成硅锭;3)对硅锭进行多次退火处理,且退火温度逐次降低。
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