[发明专利]横向MOSFET有效
| 申请号： | 201310032027.4 | 申请日： | 2013-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103811549B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 刘惠如;周建志;郑光茗 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 横向MOSFET包括形成在衬底中的多个隔离区，其中第一隔离区的顶面低于衬底的顶面。横向MOSFET还包括栅电极层，其具有形成在第一隔离区上方的第一栅电极层和形成在衬底顶面上方的第二栅电极层，第一栅电极层的顶面低于第二栅电极层的顶面。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 mosfet | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：多个隔离区，形成在具有顶面的衬底中，其中所述多个隔离区的第一隔离区的顶面低于所述衬底的顶面；以及栅电极层，包括：第一栅电极层，形成在所述第一隔离区上方；以及第二栅电极层，形成在所述衬底的顶面上方，其中所述第一栅电极层的顶面低于所述第二栅电极层的顶面，所述第一栅电极的顶面高于所述衬底的顶面。
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