[发明专利]一种具有高金属吸杂能力的n/n+硅外延片及其制备方法

摘要

本发明提供一种具有高金属吸杂能力的n/n+硅外延片，包括：轻掺n型硅为外延层，外延层中层错、位错等缺陷密度≤0.05/cm2；氮掺杂的重掺n型直拉硅为衬底，衬底的电阻率≤0.005Ω•cm，并且衬底中包含稳定的氧沉淀形核中心，可生成氧沉淀密度≥1×109/cm3。本发明还提供上述n/n+硅外延片的制备方法，其步骤包括：将重掺n型直拉硅在N2气氛下进行高温快速热处理；在热处理后的重掺n型的直拉硅上生长轻掺n型硅外延层；经低温与高温两步热处理，得到本发明的n/n+硅外延片。本发明解决了长久以来难以在n/n+硅外延片重掺n型直拉硅衬底中生成高密度的氧沉淀的难题，具有良好的应用前景。

主权项

一种具有高金属吸杂能力的n/n+硅外延片，该硅外延片包括：轻掺n型硅外延层，所述的外延层层错、位错、雾状微缺陷或小丘缺陷密度≤0.05/cm2，并且所述的外延层不存在氧沉淀及其诱生缺陷；氮掺杂的重掺n型直拉硅衬底，所述的氮掺杂的重掺n型直拉硅衬底的电阻率≤0.005Ω·cm，近表面区域的氮掺杂浓度为7.5×1015～1.5×1016atom/cm3，在衬底表面200μm以下的氮浓度≥4.5×1015atom/cm3，所述的氮掺杂的重掺n型直拉硅衬底中包含稳定的氧沉淀形核中心，可生成氧沉淀的密度≥1×109/cm3。