[发明专利]一种提高大尺寸芯片光效的外延结构及其生长方法有效
| 申请号： | 201310032282.9 | 申请日： | 2013-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103187497A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 覃晓燕;吴迅飞;谢文通 | 申请（专利权）人： | 上海博恩世通光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200030 上海市徐*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高大尺寸芯片光效的外延结构制备方法，该方法包括以下步骤：在PSS衬底上生长GaN缓冲层；在该GaN缓冲层上生长UGaN层；在所述U型GaN层上生长掺杂Si的N型GaN层；交替生长形成掺杂Si和Al的第一NAlGaN层和不掺杂Si的第一UGaN层；交替生长38-40个周期；接着交替形成生长掺杂Si和Al的第二NAlGaN和不掺杂Si的第二UGaN层，交替生长25-26个周期；接着交替生长形成掺杂Si和Al的第三NAlGaN层和掺杂Si的第三NGaN层，交替生长15-16个周期；周期性生长有源层MQW和PGaN层。本发明采用NAlGaN/NGaN超晶格结构取代传统N型GaN层(NGaN)的方法有效提高了LED的外量子发光效率，使得器件可以提高电子的迁移率，可以降低大尺寸芯片的正向电压、提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 尺寸 芯片 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种提高大尺寸芯片光效的外延结构，其特征在于，该外延结构包括形成于PSS衬底上的GaN缓冲层；形成于该GaN缓冲层上的UGaN层；形成于所述U型GaN层上的掺杂Si的NGaN层；形成于所述NGaN层上的NAlGaN/NGaN交替结构；以及依次形成于所述NAlGaN/NGaN交替结构上的有源层MQW以及PGaN层。
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