[发明专利]磁场传感器无效
申请号: | 201310032510.2 | 申请日: | 2013-01-28 |
公开(公告)号: | CN103226000A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | W·梅纳特;T·泰尔 | 申请(专利权)人: | W·梅纳特;T·泰尔 |
主分类号: | G01B7/30 | 分类号: | G01B7/30;G01B7/00 |
代理公司: | 北京金思港知识产权代理有限公司 11349 | 代理人: | 邵毓琴 |
地址: | 德国奥*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种磁场传感器。用于位置换能器的磁场传感器包括用于磁场传感器的输出信号的处理和控制电子装置及永磁体激励阵列。磁场传感器具有至少三个霍尔元件,通过它们对永磁体阵列的磁场方向进行配准。霍尔元件形成并布置在半导体IC上,并以使它们的有效表面位于与半导体IC的表面平行的公共平面上的方式间隔开。设置由铁磁性材料构成的单个偏转本体,其被布置成使得从永磁体阵列发出的、在没有偏转本体的情况下将与霍尔元件的有效表面的公共平面平行地延伸的场线接收垂直穿过这些有效表面的至少一个方向分量。偏转本体作为与半导体IC分离的独立部件来制造和安装,并且半导体IC的表面上的霍尔元件的相互距离包括霍尔元件自身的最大长度的多倍。 | ||
搜索关键词: | 磁场 传感器 | ||
【主权项】:
一种用于位置换能器的磁场传感器,该磁场传感器具有至少三个霍尔元件(6),包括用于所述磁场传感器的输出信号的处理和控制电子装置以及永磁体激励阵列(2;11;12),所述永磁体激励阵列的磁场方向由所述霍尔元件(6)来检测,这些霍尔元件在具有相互距离的情况下形成并定位在半导体IC(5)上,使得它们的有效表面位于与所述半导体IC(5)的上表面平行的公共平面上,由铁磁性材料构成的一个单个偏转本体(4)被布置成使得从所述永磁体阵列(2;11;12)发射的、在没有所述偏转本体(4)的情况下将与所述霍尔元件的有效表面的公共平面平行地延伸的场线接收垂直地穿过这些有效表面的至少一个方向分量,其特征在于,所述偏转本体(4)作为与所述半导体IC(5)分离的独立元件制造和安装,并且所述半导体IC(5)的表面上的所述霍尔元件的相互距离包括所述霍尔元件(6)自身的最大长度的多倍。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于W·梅纳特;T·泰尔,未经W·梅纳特;T·泰尔许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310032510.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:固态成像元件、固态成像元件制造方法以及电子装置
- 下一篇:流体分配歧管