[发明专利]单芯片三轴磁场传感器及制备方法有效
| 申请号： | 201310032909.0 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103105592A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 吴亚明;龙亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02;G01R3/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单芯片三轴磁场传感器及制备方法。所述单芯片三轴磁场传感器至少包括：第一基底；形成于第一基底表面的至少两个第一电极及至少四个第二电极；与所述第一基底键合的第二基底，其具有与两个第一电极分别形成电容结构的单轴扭转结构、以及与至少四个第二电极分别形成电容结构的双轴扭转结构；形成于所述单轴扭转结构表面、且能在第一方向的磁场作用下产生相应磁扭矩的第一磁性薄膜结构；以及形成于所述双轴扭转结构表面、且能在第二及第三方向的磁场作用下产生相应磁扭矩的第二磁性薄膜结构。本发明的三轴磁场传感器具有灵敏度高、尺寸小、功耗低、低成本、封装简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 磁场 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单芯片三轴磁场传感器，其特征在于，所述单芯片三轴磁场传感器至少包括：第一基底；形成于第一基底表面的至少两个第一电极及至少四个第二电极；与所述第一基底键合的第二基底，其具有与两个第一电极分别形成电容结构的单轴扭转结构、以及与至少四个第二电极分别形成电容结构的双轴扭转结构；形成于所述单轴扭转结构表面、且能在第一方向的磁场作用下产生相应磁扭矩的第一磁性薄膜结构；形成于所述双轴扭转结构表面、且能在第二及第三方向的磁场作用下产生相应磁扭矩的第二磁性薄膜结构。
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