[发明专利]可变阻抗元件以及非易失性半导体存储装置

摘要

本发明实现了一种能以低电流成型，并能以低电压、低电流进行稳定的切换工作的可变阻抗元件以及一种通过具备该可变阻抗元件实现了低功耗且大容量的非易失性半导体存储装置。一种在第一电极（14）和第二电极（12）之间夹持可变阻抗体（13）而形成的可变阻抗元件（1），可变阻抗体（13）包含阻抗变化层（15）和高氧层（16）的至少2层的金属氧化物或金属氮氧化物。高氧层（16）插入在比第二电极功函数小的第一电极（14）与阻抗变化层（15）之间，以相对于对该金属元素的氧组成比的化学计量组成的比率比相对于对构成阻抗变化层（15）的金属氧化物的金属元素的氧组成比的化学计量组成的比率变大的方式，来调整金属氧化物的氧浓度。

主权项

一种可变阻抗元件，具备：可变阻抗体和夹持所述可变阻抗体的第一电极以及第二电极，形成于所述可变阻抗体中的细丝路径，根据向所述两电极间施加的电压进行开闭，由此，所述两电极间的电阻可逆地进行变化，所述第一电极和所述第二电极由功函数相互不同的导电性材料构成，所述第二电极的功函数大于所述第一电极的功函数，所述可变阻抗体至少由包含阻抗变化层和高氧层的2层的多个层构成，所述高氧层夹在所述第一电极和所述阻抗变化层之间，相对于构成所述高氧层的金属氧化物或金属氮氧化物中的氧组成比的化学计量组成的比率大于相对于构成所述阻抗变化层的金属氧化物或金属氮氧化物中的氧组成比的化学计量组成的比率。