[发明专利]一种锌修饰三氧化钨薄膜光电极的制备方法无效
申请号: | 201310033459.7 | 申请日: | 2013-01-29 |
公开(公告)号: | CN103088381A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 刘丽英;刘润;王萍;徐铸德;许宜铭 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C25D9/04 | 分类号: | C25D9/04;H01L31/18 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 张法高 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种锌修饰三氧化钨薄膜光电极的制备方法,属于无机光电极材料制备领域。本发明的特点是以ITO导电玻璃为基底,采用电沉积的方法制备得到的无定形氧化钨薄膜为基体,通过浸渍法将锌均匀修饰在无定形的氧化钨薄膜上,然后在空气中经过一定温度的热处理后,得到一种新型锌修饰三氧化钨薄膜光电极材料。Zn修饰WO3后在WO3的表面形成了一层ZnO薄膜,由于ZnO的价带位置与WO3相比更负,当光照射到薄膜电极时,WO3价带上的光生空穴在电场力的作用下会流入ZnO的价带中,从而抑制了WO3光生电子和空穴的复合,达到了提高光电转换效率和光电催化能力的目的。本发明的优点在于:所制得的薄膜均匀,与基底附着性好,所采用的设备简单,易于操作,成本低,环境友好等。 | ||
搜索关键词: | 一种 修饰 氧化钨 薄膜 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种锌修饰三氧化钨光电极的制备方法,其特征在于包括如下步骤:1)将0.0025~0.0100mol的Na2WO4溶于50mL的蒸馏水,加入0.25~1.00mL质量百分比浓度为30%的H2O2溶液,搅拌3~5分钟,得到含W2O72‑的溶液,加入30mL的乙二醇,搅拌1~3min,得到混合溶液,用2mol/L的高氯酸或硝酸调节PH值至1.10~1.30,加入蒸馏水使混合溶液的体积达到100mL,得到澄清的电解液;以ITO导电玻璃为工作电极,铂片电极为对电极,饱和甘汞电极为参比电极,置于电解液中进行电沉积,相对于饱和甘汞电极的阴极电位为‑0.4V~ ‑0.6V,沉积时间为60分钟, 晾干,得到无定形氧化钨薄膜,备用;2)将无定形氧化钨薄膜置于0.005mol/L的Zn(NO3)2溶液中浸渍20~40分钟,用蒸馏水冲洗1~2分钟,在空气中自然晾干,得到锌修饰氧化钨薄膜;3)将锌修饰氧化钨薄膜置于马弗炉中,在450oC下高温热处理3小时,冷却,得到锌修饰三氧化钨薄膜光电极。
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