[发明专利]铜锌锡硫硒薄膜制备中的掺杂工艺

摘要

本发明提供了一种铜锌锡硫硒薄膜制备中的掺杂工艺，属于太阳能电池技术领域，该工艺可有效地掺杂第五主族元素，且掺杂梯度可控、掺杂比例可调、掺杂效应显著。其步骤包括：步骤一：通过应用薄膜沉积工艺，制备铜锌锡硫硒薄膜；步骤二：根据制备铜锌锡硫硒薄膜时选择的工艺和需掺杂元素的特点，通过掺杂工艺实现这一元素在铜锌锡硫硒薄膜中的掺杂；步骤三：对所得薄膜施以热处理工艺,最终完成第五主族元素在铜锌锡硫硒薄膜中掺杂效应的激活。本发明实现了对铜锌锡硫硒薄膜结晶性能、光电特性、电学特性的改进优化，在低成本高效薄膜太阳能电池的制备中具有广泛的运用前景。

主权项

一种铜锌锡硫硒薄膜制备中的掺杂工艺，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：通过应用薄膜沉积工艺，制备铜锌锡硫硒薄膜；所述铜锌锡硫硒薄膜制备工艺包括元素蒸镀工艺、化合物蒸镀工艺、元素反应溅射硫化工艺、化合物溅射硫化工艺、纳米颗粒工艺、电镀工艺；步骤二：根据制备铜锌锡硫硒薄膜时选择的工艺和需掺杂元素的特点，通过掺杂工艺实现这一元素在铜锌锡硫硒薄膜中的掺杂；所述的掺杂工艺包括化学水浴沉积工艺、电镀沉积薄膜工艺、离子注入工艺、反应物及原料掺杂工艺；步骤三：对所得薄膜施以热处理工艺,最终完成第五主族元素在铜锌锡硫硒薄膜中掺杂效应的激活。