[发明专利]一种易于检测封装质量的声光器件无效
| 申请号： | 201310033989.1 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103116227A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 郑熠;吴少凡;朱一村;王城强 | 申请（专利权）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/11 | 分类号： | G02F1/11 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350000 福建省福州市鼓楼区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种易于检测封装质量的声光器件，包括声光介质和换能器，所述声光介质表面镀制有二氧化硅，所述换能器与声光介质相对面镀制有底电极，底电极之上镀制有二氧化硅，底电极和表电极均为透明导电材料，声光介质与换能器在真空条件下通过加压加热键合在一起，再放入高温退火炉中退火，本发明的声光器件采用透明导电材料作为换能器表电极和底电极，从而可以利用红外透射设备或可见光检测设备检测器件键合质量，提高了器件的成品率，从而获得质量稳定的声光器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 易于 检测 封装 质量 声光 器件 | ||
【主权项】：
一种易于检测封装质量的声光器件，包括声光介质和换能器，所述声光介质表面镀制有二氧化硅，所述换能器与声光介质相对面镀制有底电极，底电极之上镀制有二氧化硅，声光介质与换能器在真空条件下通过加压加热方式预键合在一起，再放入真空硅钼炉中退火使二氧化硅完全融合，其特征在于：所述底电极为透明导电材料。
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