[发明专利]一种含锗元素的掺杂石墨烯的制备方法有效
| 申请号： | 201310034451.2 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103964417B | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 林朝晖 | 申请（专利权）人： | 福建省辉锐材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明适用于化学合成技术领域，提供了一种掺杂石墨烯的制备方法，采用化学气相沉积法制备含锗元素的掺杂石墨烯，所述方法包括以下步骤将催化基底放入真空的反应器中，然后向所述反应器中通入含有碳元素和锗元素的物质，制得含有锗元素的掺杂石墨烯。使用含锗元素的化合物作为掺杂剂所获得的掺杂石墨烯，对于石墨烯的六角结构没有破坏，且掺杂后获得的含锗元素的掺杂石墨烯的载流子浓度高，迁移率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 元素 掺杂 石墨 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种含锗元素的掺杂石墨烯的制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积法制备含锗元素的掺杂石墨烯，所述方法包括以下步骤：将催化基底放入真空的反应器中，然后向所述反应器中通入含有碳元素和锗烷的化合物，制得含有锗元素的掺杂石墨烯；所述向所述反应器中通入含有碳元素和锗元素的化合物，得到含有锗元素的掺杂石墨烯包括步骤：通入含碳元素的化合物，使得含碳元素的化合物在铜表面裂解并生长石墨烯；改变含碳元素的化合物流量，同时通入含锗烷的化合物，制得含锗元素的掺杂石墨烯；所述含碳元素的化合物为甲烷、具体为通入1sccm甲烷30秒，使得碳源在催化基底表面裂解并生长石墨烯，改变甲烷流量至3sccm，同时通入0.1～0.5sccm锗烷，保持在1000度10分钟，制得含锗元素的掺杂石墨烯。
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