[发明专利]固态储能装置有效
| 申请号： | 201310034515.9 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103227048B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 蒂姆·胡米;弗里德里希·B·普林茨;韦斯顿·亚瑟·赫尔曼;约瑟夫·汉;瑞纳·法史英 | 申请（专利权）人： | 量子世界公司 |
| 主分类号： | H01G4/08 | 分类号： | H01G4/08;H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 彭昶,杨思捷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种固态储能装置。本专利申请描述了用于储能的装置和制作与使用该装置的方法。在各个实施方式中，阻挡层设置在该储能装置的介电材料和电极之间。该阻挡层的特征在于，该阻挡层的介电常数比所述介电材料的介电常数高。还存在其他的实施方式。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 装置 | ||
【主权项】：
一种储能装置，包括：间隔开的第一电极和第二电极；SiO2或SiOxNy介电层，该介电层设置在所述第一电极和所述第二电极之间；第一阻挡层，所述第一阻挡层设置在所述第一电极和所述介电层之间；和第二阻挡层，所述第二阻挡层设置在所述第二电极和所述介电层之间，其中，所述第一阻挡层的介电常数和所述第二阻挡层的介电常数都独立地大于所述介电层的介电常数；且其中所述第一阻挡层包括阳离子导电材料以及所述第二阻挡层包括阴离子导电材料。
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