[发明专利]用于PECVD薄膜沉积的气体反应装置和方法有效
申请号: | 201310034933.8 | 申请日: | 2013-01-29 |
公开(公告)号: | CN103966573A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 周君 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 邓云鹏 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种用于PECVD薄膜沉积的气体反应装置,包括:进气管、气体混合器、两个以上的出气管及流量控制器;所述气体混合器的一端与所述进气管连接,所述气体混合器的另一端与所述出气管连接,所述气体混合器与所述进气管、所述出气管之间气体流通;所述流量控制器用于控制所述出气管内的气体流量;所述出气管还用于与喷淋头连接,所述出气管用于将所述气体混合器内混合后的反应气体通过所述喷淋头喷洒到晶圆表面。从而能够对PECVD薄膜各个区域所需的反应气体量进行控制,进而能够调节PECVD薄膜局部沉积速率以提升PECVD薄膜的均匀性。此外,还提供一种调节简单、效率高的用于PECVD薄膜沉积的气体反应方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 pecvd 薄膜 沉积 气体 反应 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种用于PECVD薄膜沉积的气体反应装置,其特征在于,包括:进气管、气体混合器、两个以上的出气管及流量控制器;所述气体混合器的一端与所述进气管连接,所述气体混合器的另一端与所述出气管连接,所述气体混合器与所述进气管、所述出气管之间气体流通;所述流量控制器用于控制所述出气管内的气体流量;所述出气管还用于与喷淋头连接,所述出气管用于将所述气体混合器内混合后的反应气体通过所述喷淋头喷洒到晶圆表面。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的