[发明专利]最小化热噪声的半导体传感器件有效

专利信息
申请号: 201310035555.5 申请日: 2013-01-30
公开(公告)号: CN103226047B 公开(公告)日: 2018-02-06
发明(设计)人: J-H.A.邱;S-H.S.陈 申请(专利权)人: 大陆汽车系统公司
主分类号: G01L1/18 分类号: G01L1/18;G01L19/04
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 胡莉莉,刘春元
地址: 美国密*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及最小化热噪声的半导体传感器件。一种MEMS压力传感器被设计来减少或消除热噪声、诸如温度偏移电压输出。该压力传感器包括具有膜片以及腔的压力传感元件,所述腔被形成为压力传感元件的部分,其中所述腔容纳流体,使得膜片至少部分地偏转。该压力传感元件还包括多个压电电阻器,所述多个压电电阻器在工作中基于膜片中的偏转量来生成信号。至少一个沟槽被整体地形成为压力传感元件的部分,并且胶粘剂把压力传感元件连接到至少一个基板,使得胶粘剂的至少部分被附着到所述沟槽,并且将压力传感元件上的热感应应力重新分配,使得热感应噪声基本上被消除。
搜索关键词: 最小化 噪声 半导体 传感 器件
【主权项】:
一种压力传感器器件,其包括:压力传感元件,所述压力传感元件具有膜片;至少一个基板,所述至少一个基板支承所述压力传感元件;膜片上的多个压电电阻器;至少一个沟槽,所述至少一个沟槽被形成为所述压力传感元件的部分;以及胶粘剂,所述胶粘剂把所述压力传感元件连接到所述至少一个基板;其中,所述胶粘剂部分地或完全地填充所述至少一个沟槽,将压力传感元件上的热感应应力重新分配,使得热感应应力或热噪声的效应基本上被消除,以及其中,所述至少一个沟槽具有为所述压力传感元件的总高度的十分之一至一半的深度。
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