[发明专利]一种单晶砷化镓薄膜制备技术无效
| 申请号： | 201310036262.9 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103114331A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 向勇;闫宗楷;刘振鹏;臧亮 | 申请（专利权）人： | 向勇 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/20;C30B29/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种单晶砷化镓薄膜制备技术，属于半导体制造技术领域，该技术可以有效缓解生产难度，提高生产效率，其步骤包括：a.提供可供预处理的砷化镓基底；b.清洗；c.将清洗好的砷化镓基底送入真空的腔体中；d.在砷化镓基底上表面生长一层砷化铝；e.在砷化铝上生长砷化镓；f.刻蚀；g.抛光。本技术中砷化铝有效将砷化镓和砷化镓衬底分隔开，为后续工艺的剥离做准备，提高了效率，而且该技术利用了不同物质的腐蚀速率不同进行了砷化镓的分离，非常方便有效，它降低了制作成本和操作难度，具有很好的推广利用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶砷化镓 薄膜 制备 技术 | ||
【主权项】：
一种单晶砷化镓薄膜制备技术，其特征是，其步骤包括：a、提供可供预处理的砷化镓基底；b、清洗；c、将清洗好的砷化镓基底送入真空的腔体中；d、在砷化镓基底上表面生长一层砷化铝；e、在砷化铝上生长砷化镓；f、刻蚀；g、抛光。
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