[发明专利]制备高纯度多晶硅的方法与装置有效
| 申请号： | 201310036359.X | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103122482A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 陈红荣;胡动力;鄢俊琦 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备高纯度多晶硅的方法，包括如下步骤：提供过滤件，在过滤件上设置熔融状态的硅料，使所述熔融状态的硅料中的硅液与难熔杂质分离，得到纯化后的硅液；将所述纯化后的硅液定向凝固结晶形成硅锭，得到高纯度的多晶硅。本发明还公开了一种制备高纯度多晶硅的装置。本发明采用过滤除杂与定向凝固除杂相结合的方式，有效除去了硅料中的杂质，生产了高纯度的多晶硅，适合用于制备太阳能硅电池。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 纯度 多晶 方法 装置 | ||
【主权项】：
制备高纯度多晶硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供过滤件，在过滤件上设置熔融状态的硅料，使所述熔融状态的硅料中的硅液与难熔杂质分离，得到纯化后的硅液；将所述纯化后的硅液定向凝固结晶形成硅锭，得到高纯度的多晶硅。
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