[发明专利]注入隔离器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201310036529.4 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103715129A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 高敏峰;杨敦年;刘人诚;许慈轩;王文德;许文义 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种器件，包括半导体衬底和从半导体衬底的顶面延伸至半导体衬底内且围绕有源区的注入隔离区。栅极介电层沉积在半导体衬底的有源区上方，其中所述栅极介电层在注入隔离区上方延伸。栅电极沉积在栅极介电层上方并且端盖介电层在注入隔离区上方的栅极介电层和栅电极之间。本发明还公开了注入隔离器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 注入 隔离 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：具有有源区的半导体衬底；注入隔离区，围绕所述有源区并且从所述半导体衬底的顶面延伸至所述半导体衬底内；栅极介电层，位于所述有源区上方并且至少部分位于所述注入隔离区上方；栅电极，位于部分所述栅极介电层上方；以及端盖介电层，位于所述注入隔离区上方的所述栅极介电层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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