[发明专利]晶体管的制作方法和确定栅极周围侧墙厚度的方法有效
| 申请号： | 201310036535.X | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103972092A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;舒强;李天慧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管的制作方法和确定栅极周围侧墙厚度的方法，其中晶体管的制作方法，包括：提供衬底，在衬底上形成栅极，在栅极周围形成侧墙；在侧墙周围形成第一牺牲侧墙；以栅极、侧墙和第一牺牲侧墙为掩膜，刻蚀衬底，在第一牺牲侧墙两侧的衬底中形成碗状凹槽，侧墙和第一牺牲侧墙的总厚度使得碗状凹槽边缘在最突出位置进入栅极下方的衬底内的距离小于预定距离；去除部分厚度的第一牺牲侧墙形成第二牺牲侧墙，湿法刻蚀碗状凹槽形成sigma形凹槽，其中，侧墙和第二牺牲侧墙的总厚度确保湿法刻蚀碗状凹槽后能够形成sigma形凹槽；去除第二牺牲侧墙，在sigma形凹槽内填充半导体材料。采用本发明的方法可以提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 制作方法 确定 栅极 周围 厚度 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成栅极，在所述栅极周围形成侧墙；在侧墙周围形成第一牺牲侧墙；以所述栅极、侧墙和第一牺牲侧墙为掩膜，刻蚀所述衬底，在第一牺牲侧墙两侧的衬底中形成碗状凹槽，所述侧墙和第一牺牲侧墙的总厚度使得所述碗状凹槽边缘在最突出位置进入所述栅极下方的衬底内的距离小于预定距离；去除部分厚度的第一牺牲侧墙形成第二牺牲侧墙，湿法刻蚀所述碗状凹槽形成sigma形凹槽，其中，侧墙和第二牺牲侧墙的总厚度确保所述湿法刻蚀碗状凹槽后能够形成sigma形凹槽；去除第二牺牲侧墙，在所述sigma形凹槽内填充半导体材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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