[发明专利]无晶片自动调整有效
| 申请号： | 201310036929.5 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103247754A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 乔迪普·古哈;桑科特·桑特;神内佛霖 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及无晶片自动调整，具体提供了一种用于减少蚀刻室中的污染物的方法。具有含金属层的衬底被置于所述蚀刻室中。所述含金属层被蚀刻，在所述蚀刻室的表面上产生不挥发的金属残留沉积物，其中所述金属残留沉积物中的一些金属残留处于第一状态。所述衬底从所述蚀刻室被移除。通过将处于所述第一状态的金属残留转变到处于第二状态的金属残留，所述室被调整，其中处于所述第二状态的金属残留相较处于所述第一状态的金属残留对所述蚀刻室的表面具有更强的粘着性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 自动 调整 | ||
【主权项】：
一种用于减少蚀刻室中的污染物的方法，其包括：将具有含金属层的衬底置于所述蚀刻室内；蚀刻所述含金属层，在所述蚀刻室的表面上产生不挥发的金属残留沉积物，其中所述金属残留沉积物中的一些金属残留处于第一状态；将所述衬底从所述蚀刻室移除；以及通过将处于所述第一状态的金属残留转变到处于第二状态的金属残留来调整所述室，其中处于所述第二状态的金属残留相较处于所述第一状态的金属残留对所述蚀刻室的表面具有更强的粘着性。
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