[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201310037008.0 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103972296B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 钱庆凯;李群庆 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管，包括一源极；一漏极，该漏极与该源极间隔设置；一半导体层，所述半导体层与所述源极及漏极接触设置，所述半导体层位于所述源极与漏极之间的部分形成一沟道；以及一栅极，该栅极通过一第一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置；其中，所述源极包括一源极本体及一源极延伸部，所述漏极包括一漏极本体及一漏极延伸部，所述源极延伸部及漏极延伸部相互间隔设置且覆盖部分沟道，且所述源极延伸部及漏极延伸部的功函数与所述半导体层的功函数不相同。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：一源极；一漏极，该漏极与该源极间隔设置；一半导体层，所述半导体层与所述源极及漏极接触设置，所述半导体层位于所述源极与漏极之间的部分形成一沟道；一第二绝缘层，所述源极通过所述第二绝缘层与所述漏极绝缘设置；以及一栅极，该栅极通过一第一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置；其特征在于，所述源极包括一源极本体及一源极延伸部，所述漏极包括一漏极本体及一漏极延伸部，所述源极延伸部及漏极延伸部相互间隔设置且覆盖部分沟道，且所述源极延伸部及漏极延伸部的功函数与所述半导体层的功函数不相同，所述源极延伸部向所述半导体层垂直投影形成的投影为AB段，所述漏极延伸部向所述半导体层垂直投射形成的投影为CD段，所述栅极向所述半导体层垂直投射形成的投影为EF段，所述半导体层中沟道在平行于所述绝缘基板表面的方向的长度为L，且满足AB+CD+EF≧L，所述EF段的长度小于L，所述第二绝缘层的厚度为10纳米～40纳米，所述半导体层包括多个碳纳米管长线，所述半导体层的厚度为0.5纳米‑5纳米。
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