[发明专利]一种硅面SiC衬底上的石墨烯光电器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201310037225.X | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103117317A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 陈远富;郝昕;王泽高;李萍剑;刘竞博;张万里;李言荣 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/08;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
一种硅面SiC衬底上的石墨烯光电器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。包括Si面碳化硅衬底（1）、 |
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| 搜索关键词： | 一种 sic 衬底 石墨 光电 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅面SiC衬底上的石墨烯光电器件，包括Si面碳化硅衬底（1）、![]()
R30°界面碳缓冲层（2）、石墨烯层（3）；其中![]()
R30°界面碳缓冲层（2）位于Si面碳化硅衬底（1）和石墨烯层（3）之间；所述石墨烯层（3）上表面具有金属叉指对电极（4）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
