[发明专利]在硅衬底上生长高品质的III-V族化合物层的方法有效
| 申请号： | 201310037713.0 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103258844A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 李镇宇;夏兴国;郭浩中 | 申请（专利权）人： | 台积固态照明股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/205 | 分类号： | H01L29/205;H01L21/02;H01L21/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造半导体器件的方法。清洁硅晶圆的表面。然后，在硅晶圆上外延生长第一缓冲层。第一缓冲层包含氮化铝(AlN)材料。然后，在第一缓冲层上外延生长第二缓冲层。第二缓冲层包括多个氮化铝镓(AlxGa1-xN)子层。每一个子层都具有0和1之间的对应x值。每一个子层的x值是其在第二缓冲层内的位置的函数。在第二缓冲层上方外延生长第一氮化镓(GaN)层。然后，在第一GaN层上方外延生长第三缓冲层。然后，在第三缓冲层上方外延生长第二GaN层。本发明提供了在硅衬底上生长高品质的III-V族化合物层的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 生长 品质 iii 化合物 方法 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：半导体结构，包括：硅衬底；第一缓冲层，设置在所述硅衬底上方，其中，所述第一缓冲层包含III‑V族化合物，所述III‑V族化合物包括第一III族元素和V族元素；第二缓冲层，设置在所述第一缓冲层上方，其中，所述第二缓冲层包括多个子层，每一个子层都包含所述第一III族元素、所述V族元素和第二III族元素，并且其中，对于每个子层来说，与所述第一缓冲层相距得越远，所述第一III族元素的含量就越低；以及III‑V族化合物块层，设置在所述第二缓冲层上方。
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