[发明专利]一种NiCr薄膜的干法刻蚀工艺

摘要

本发明公开了一种NiCr薄膜的干法刻蚀工艺，包括以下步骤：在带有氮化硅或氧化硅衬底的硅片上溅射沉积NiCr薄膜；光刻，形成所需要的图形；将步骤所得的硅片放入刻蚀设备，用氯基气体与六氟化硫的混合气体进行反应离子刻蚀；将步骤所得的硅片进行干法去胶，去除残余光刻胶。刻蚀时在氯基气体中引入少量六氟化硫，提高刻蚀均匀性。同时，利用六氟化硫与光刻胶的相互作用及其对等离子体能量的吸收和调节，可将光刻胶的刻蚀速率降低5~10倍，获得刻蚀选择比≥1的干法刻蚀工艺。本发明解决了NiCr薄膜难以采用光刻胶作为掩膜进行干法图形化的问题，且工艺简单，容易操作，重复性好，适合用于大规模生产。

主权项

1. 一种NiCr薄膜的干法刻蚀工艺，其特征在于，包括以下步骤：在带有氮化硅或氧化硅衬底的硅片上溅射沉积NiCr薄膜；光刻，形成所需要的掩膜图形；将步骤所得的硅片放入刻蚀设备，用氯基气体与六氟化硫的混合气体进行反应离子刻蚀；将步骤所得的硅片进行干法去胶，去除残余光刻胶。