[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310038524.5 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103681680A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 权五哲;李起洪;皮昇浩 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;石卓琼 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：沟槽，所述沟槽形成在衬底中；第一层叠结构，所述第一层叠结构形成在沟槽中，并且包括多个第一材料层和多个第二材料层，所述多个第一材料层和所述多个第二材料层以一个在另一个顶部上的方式交替层叠；以及晶体管，所述晶体管位于衬底上与第一层叠结构的顶表面相对应的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：沟槽，所述沟槽被形成在衬底中；第一层叠结构，所述第一层叠结构被形成在所述沟槽中，并且包括多个第一材料层和多个第二材料层，所述多个第一材料层和所述多个第二材料层以一个在另一个顶部上的方式交替层叠；以及晶体管，所述晶体管位于所述衬底上与所述第一层叠结构的顶表面相对应的高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
