[发明专利]接触孔插塞的制造方法

摘要

本发明提供一种接触孔插塞的制造方法。上述方法包括提供半导体基板；沉积导电牺牲层；于导电牺牲层上形成硬遮罩图案；移除未被硬遮罩图案覆盖的导电牺牲层，直到半导体基板的电晶体结构顶部的氧化保护层暴露出来为止；移除未被硬遮罩图案覆盖的导电牺牲层，形成底部互连的导电牺牲图案；于导电牺牲图案的侧壁上形成氧化保护层；移除未被硬遮罩图案覆盖的部分氧化保护层和导电牺牲图案；移除未被硬遮罩图案覆盖的导电牺牲图案的底部，以形成导电牺牲柱。本发明提供的一种接触孔插塞的制造方法，其具有高深宽比且具有垂直的侧壁轮廓，以改善已知技术的缺点。

主权项

一种接触孔插塞的制造方法，其特征是，所述接触孔插塞的制造方法包括下列步骤：提供一半导体基板，其中设置有沿一第一方向延伸的多个隔绝物，且其中所述半导体基板具有沿一第二方向延伸的多个电晶体结构；全面性沉积一导电牺牲层；于所述导电牺牲层上形成多个硬遮罩图案，所述多个硬遮罩图案沿所述第一方向和所述第二方向排列成一阵列；使用一第一蚀刻气体，进行一第一非等向性蚀刻工艺，移除未被所述多个硬遮罩图案覆盖的部分所述导电牺牲层，直到所述多个电晶体结构顶部的氧化保护层暴露出来为止；使用一第二蚀刻气体，进行一第二非等向性蚀刻工艺，移除未被所述多个硬遮罩图案覆盖的部分所述导电牺牲层，以形成多个导电牺牲图案，其中所述多个导电牺牲图案的多个底部彼此相连；进行一氧化工艺，以分别于所述多个导电牺牲图案的侧壁上形成多个氧化保护层；使用一第三蚀刻气体，进行一第三非等向性蚀刻工艺，从未被所述多个硬遮罩图案覆盖的所述多个导电牺牲图案的多个侧壁和所述多个底面上移除部分所述多个氧化保护层以及部分所述多个导电牺牲图案；以及使用一第四蚀刻气体，进行一第四非等向性蚀刻工艺，移除未被所述多个硬遮罩图案覆盖的所述多个导电牺牲图案的彼此相连的所述多个底部，以形成彼此分离的多个导电牺牲柱。