[发明专利]晶体管、其制造方法以及包括该晶体管的电子装置有效
| 申请号： | 201310038706.2 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103296087B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 孙暻锡;柳明官;金兌相;金炫奭;朴晙晳;宣钟白;李相润 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种晶体管可以包括在包括氮氧化物的沟道层与电连接到该沟道层的电极之间的空穴阻挡层。该空穴阻挡层可以设置在该沟道层与源电极和漏电极的至少之一之间的区域中。该沟道层可以包括例如锌氮氧化物（ZnON）。空穴阻挡层的价带最高能级可以低于沟道层的价带最高能级。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 制造 方法 以及 包括 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：沟道层，包括氮氧化物半导体，所述氮氧化物半导体包括锌氮氧化物(ZnON)；栅电极，与所述沟道层相应；源电极，连接到所述沟道层的第一区域；漏电极，连接到所述沟道层的第二区域；以及空穴阻挡层，为由空穴阻挡材料形成的单个层并设置在所述沟道层与所述源电极和所述漏电极的至少之一之间，其中所述空穴阻挡层的电子亲和势和能带隙的总和大于所述沟道层的电子亲和势和能带隙的总和，其中所述源电极和所述漏电极的所述至少之一由于所述空穴阻挡层而不与所述沟道层直接接触。
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