[发明专利]钠离子嵌入型二氧化锰纳米片电极及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201310038846.X | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103065806A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 麦立强;李涵;赵云龙 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01G11/30 | 分类号： | H01G11/30;H01G11/46;H01G11/86 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及钠离子嵌入型二氧化锰纳米片电极及其制备方法，该电极可作为超级电容器活性材料，包括有钠离子嵌入型二氧化锰纳米片，其均匀分布在泡沫镍基片的表面，包括有以下步骤：1）取硫酸钠与醋酸锰，经混合配置成电化学沉积前驱溶液；2）采用三电极法搭建电化学沉积平台，将预处理的泡沫镍基片作为工作电极，铂电极作为对电极，饱和甘汞电极作为参比电极；3）浸入到电化学沉积前驱溶液中至相同的深度；4）打开电化学工作站，将工作电极设置为阳极，工作模式设置为计时电位模式，启动电化学工作站；5）待电化学工作站停止工作后，取出工作电极，冲洗；6）干燥，即得。本发明具有工艺简单、反应条件温和、材料电化学性能优异的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 钠离子 嵌入 二氧化锰 纳米 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
钠离子嵌入型二氧化锰纳米片电极，包括有钠离子嵌入型二氧化锰纳米片，其为Na0.91MnO2和Na0.7MnO2中的任意一种或它们的混合，其厚度为15‑25nm，所述的钠离子嵌入型二氧化锰纳米片均匀分布在泡沫镍基片的表面。
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