[发明专利]一种双水路冷却区熔感应线圈无效
| 申请号： | 201310039009.9 | 申请日： | 2013-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN103966658A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 刘剑 | 申请（专利权）人： | 刘剑 |
| 主分类号： | C30B13/20 | 分类号： | C30B13/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 332000 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双水路冷却区熔感应线圈，包括单匝线圈平板，所述单匝线圈平板由线圈聚流环与线圈内外冷却水管组成，其中的内外冷却水管环绕焊接于聚流环外围；所述聚流环上表面设有三级台阶并且从外侧第一级台阶至里侧第三级台阶的所在圆的直径逐级递减，同时，位于聚流环内圆下边沿与单匝线圈平板的下表面连接所形成的斜面与水平面形成一定的倾斜角度。本发明有益效果为：有利于大直径的区熔硅单晶的生长，可提高硅内热场的均匀分布程度并且提高硅单晶的成晶稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 水路 冷却 感应 线圈 | ||
【主权项】：
一种双水路冷却区熔感应线圈，包括单匝线圈平板(1)，其特征在于：所述单匝线圈平板(1)由线圈聚流环(4)与线圈内外冷却水管(2)组成，其中的内外冷却水管(2)环绕焊接于聚流环(4)外围；所述聚流环(4)上表面设有三级台阶并且从外侧第一级台阶至里侧第三级台阶的所在圆的直径逐级递减，同时，位于聚流环(4)内圆下边沿与单匝线圈平板(1)的下表面连接所形成的斜面与水平面形成一定的倾斜角度，其中的三级台阶均为椭圆形结构。
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