[发明专利]钼溅射靶材热等静压生产方法有效
| 申请号： | 201310040795.4 | 申请日： | 2013-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN103071793A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 庄志杰;贾泽夏 | 申请（专利权）人： | 基迈克材料科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | B22F3/04 | 分类号： | B22F3/04;B22F3/03;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 | 代理人： | 郭春远 |
| 地址： | 215214 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 钼溅射靶材热等静压生产方法，钼材经过适当的1300℃，100～110MPa热等静压处理，在致密度提高的基础上，可获得细小均匀的晶粒度为7级晶粒组织，其抗拉强度为530MPa，延伸率达25％，强度和韧性均得到提高。在高温高压的共同作用下，被加工件的各向均衡受压，靶材的致密度高、均匀性好、性能优异，同时具有生产周期短、工序少、能耗低、材料损耗小等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 靶材热 静压 生产 方法 | ||
【主权项】：
钼溅射靶材热等静压生产方法，其特征是：靶材热等静压生产步骤包括：1)粉体准备，将需要的钼粉体进行混合；2)冷等静压(CIP)成型，根据将要热等静压所需的材料尺寸，将混合后的钼粉体装入模具放置到冷等静压机中成型；3)、装入包套，将预先经过等静压压好的粉体放入到一个采用不锈钢做好的包套中，并将包套一边加热一边抽真空，加热温度在300‑450℃左右，要求的真空度为10‑2bar左右；4)、热等静压，已装入包套的粉体进行热等静压。
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