[发明专利]一种发光二极管的外延结构及制造其光栅层的方法无效
| 申请号： | 201310041139.6 | 申请日： | 2013-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN103078030A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李四明;靳彩霞;董志江;艾常涛;李鸿建;罗绍军 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管的外延结构及制造其光栅层的方法，其在LED外延结构的p型半导体层的顶部沉积一层带有密集孔洞的光栅层，且所述光栅层的制造方法包括：在500℃～700℃温度下沉积一层高掺铟的InGaN层，沉积后相邻的铟元素形成铟团簇；在900℃～1050℃温度下，蒸发掉铟团簇，形成带有密集孔洞的光栅层。本发明利用光栅层的衍射效应，改变光强的分布，增加LED的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 结构 制造 光栅 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延结构，包括从下至上依次沉积的衬底（1）、过渡层（2）、u型半导体层（3）、n型半导体层（4）、多量子阱层（5）和p型半导体层（6），其特征在于：在所述p型半导体层的顶部沉积一层带有密集孔洞的光栅层（7）。
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