[发明专利]一种发光二极管的外延结构及制造其增透层的方法无效
| 申请号： | 201310041273.6 | 申请日： | 2013-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN103117340A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 李四明;靳彩霞;董志江;艾常涛;李鸿建;罗绍军 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管的外延结构及制造其增透层的方法，其在LED外延结构的基础上，在多量子阱层和p型半导体层之间设置了一层具有逐渐变小的折射率的增透层，且所述增透层的总厚度为入射光通过该增透层的等效波长的四分之一。所述增透层可以包括依次沉积的至少两层AlxInyGa1-x-yN层，通过增加各层的铝浓度使所述增透层具有逐渐变小的折射率。所述增透层还可以包括从下至上依次沉积InGaN层、SiN层和AlN层。本发明的增透层结构简单，增大了发光区的出光角度，增强了透射，从而提高了LED出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 结构 制造 增透层 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延结构，从下至上依次包括衬底（1）、过渡层（2）、u型半导体层（3）、n型半导体层（4）、多量子阱层（5）和p型半导体层（7），其特征在于：在所述多量子阱层（5）和所述p型半导体层（7）之间设置有一层具有逐渐变小的折射率的增透层（6），且所述增透层（6）的总厚度为入射光通过该增透层（6）的等效波长的四分之一。
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