[发明专利]硅片共晶键合方法在审
| 申请号： | 201310041618.8 | 申请日： | 2013-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN103107069A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 傅荣颢;冯凯 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;B81C3/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种硅片共晶键合方法，包括：第一步骤：在第一待键合硅片的表面沉积第一金属层，在第二待键合硅片的表面沉积第二金属层；第二步骤：将第一待键合硅片和第二待键合硅片分别布置在第一加热板和第二加热板上；第三步骤：在第一待键合硅片与第二待键合硅片对齐的情况下，使所述第一加热板和所述第二加热板相对挤压并且加热，同时在所述第一加热板和所述第二加热板之间施加超声波，从而使得第一待键合硅片的表面上的所述第一金属层与第二待键合硅片的表面上的所述第二金属层相互熔融，从而使得第一待键合硅片与第二待键合硅片键合在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 共晶键合 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片共晶键合方法，其特征在于包括：第一步骤：在第一待键合硅片的表面沉积第一金属层，在第二待键合硅片的表面沉积第二金属层；第二步骤：将第一待键合硅片和第二待键合硅片分别布置在第一加热板和第二加热板上；第三步骤：在第一待键合硅片与第二待键合硅片对齐的情况下，使所述第一加热板和所述第二加热板相对挤压并且加热，同时在所述第一加热板和所述第二加热板之间施加超声波，从而使得第一待键合硅片的表面上的所述第一金属层与第二待键合硅片的表面上的所述第二金属层相互熔融，从而使得第一待键合硅片与第二待键合硅片键合在一起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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