[发明专利]硅片共晶键合检测方法有效
| 申请号： | 201310041875.1 | 申请日： | 2013-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN103077906B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 傅荣颢;黄锦才 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅片共晶键合检测方法，包括在第一加热板上的第一待键合硅片与第二加热板上的第二待键合硅片对齐的情况下，使第一加热板和第二加热板相对挤压并且加热，从而第一待键合硅片的表面上的第一金属层与第二待键合硅片的表面上的第二金属层由于加热加压而相互熔融，同时在所述第一加热板和所述第二加热板之间施加交流信号，并测量第一加热板、第一待键合硅片、第一金属层、第二加热板、第二待键合硅片和第二金属层组成的整体系统的等效阻抗。当所述整体系统的等效阻抗在预定时间内保持不变时，判断硅片共晶键合制程到达终止点。所述等效阻抗包括等效电阻、等效电容的容抗以及等效电感的感抗之一或者它们的任意组合。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 共晶键合 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片共晶键合检测方法，其特征在于包括：在第一加热板上的第一待键合硅片与第二加热板上的第二待键合硅片对齐的情况下，使第一加热板和第二加热板相对挤压并且加热，从而第一待键合硅片的表面上的第一金属层与第二待键合硅片的表面上的第二金属层由于加热加压而相互熔融，同时在所述第一加热板和所述第二加热板之间施加交流信号，并测量第一加热板、第一待键合硅片、第一金属层、第二加热板、第二待键合硅片和第二金属层组成的整体系统的等效阻抗；当所述整体系统的等效阻抗在预定时间内保持不变时，判断硅片共晶键合制程到达终止点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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