[发明专利]缩小写磁极斜交角变化范围的方法及使用该方法的写磁极有效

专利信息
申请号: 201310042443.2 申请日: 2013-02-04
公开(公告)号: CN103177735A 公开(公告)日: 2013-06-26
发明(设计)人: 徐庶;刘波;陈进才 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G11B5/58 分类号: G11B5/58;G11B5/02
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 朱仁玲
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种缩小写磁极斜交角变化范围的方法,包括步骤:判断写磁极是否需要写内区,如果需要,则写磁极采用瓦记录方式,利用内区写角首先写所需记录的起始磁道,然后写磁极始终由内区朝外区方向移动,并在移动过程中依次逐步写入各条磁道,直至所需写入内区的信息全部写完为止,如果不需要,则判断写磁极是否需要写外区,如果需要,则写磁极采用瓦记录方式,利用外区写角首先写所需记录的起始磁道,写磁极始终由外区朝内区方向移动,并在移动过程中依次逐步写入各条磁道,直至所需写入外区的信息全部写完为止,如果不需要,则写磁极采用常规记录方式写中间记录区。本发明降低了磁盘写磁极的斜交角变化范围,从而降低了系统的写入误码率。
搜索关键词: 缩小 磁极 交角 变化 范围 方法 使用
【主权项】:
一种缩小写磁极斜交角变化范围的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)判断写磁极是否需要写内记录区,如果需要,则进入步骤(2),如果不需要,则进入步骤(4);(2)写磁极采用瓦记录方式,利用内区写角首先写所需记录的起始磁道,然后进入步骤(3);(3)写磁极始终由内区朝外区方向移动,并在移动过程中依次逐步写入各条磁道,每次写的当前磁道都会覆盖上一磁道一部分,直至所需写入内记录区的信息全部写完为止;(4)判断写磁极是否需要写外区,如果需要,则进入步骤(5),如果不需要,则进入步骤(7);(5)写磁极采用瓦记录方式,利用外区写角首先写所需记录的起始磁道,然后进入步骤(6);(6)写磁极始终由外区朝内区方向移动,并在移动过程中依次逐步写入各条磁道,每次写的当前磁道都会覆盖上一磁道一部分,直至所需写入外记录区的信息全部写完为止;(7)写磁极采用常规记录方式写中间记录区。
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