[发明专利]氧化镍纳米片阵列的制备方法及甲醛传感器有效

专利信息
申请号: 201310043028.9 申请日: 2013-02-04
公开(公告)号: CN103043731A 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 张珽;崔铮;李光辉;王学文;刘瑞 申请(专利权)人: 苏州纳格光电科技有限公司
主分类号: C01G53/04 分类号: C01G53/04;B82Y40/00;G01N27/30
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 杨林洁
地址: 215123 江苏省苏州市苏州工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明揭示了一种氧化镍纳米片阵列的制备方法及甲醛传感器,其中该方法包括以下步骤:制取铵盐、镍盐和碱的混合溶液;将衬底放入混合溶液中,并保温;随后将衬底从混合溶液中取出,并进行退火处理,得到形成在衬底上的氧化镍纳米片阵列。本发明提供的氧化镍纳米片阵列的制备方法通过制取铵盐、镍盐和碱的混合溶液,使得铵盐电离出的铵离子与碱电离出的氢氧根离子反应生成氨水,氨水进一步与镍盐电离出的镍离子反应生成络合物,随着反应的进行,络合物与混合溶液中的氢氧根离子进一步反应生成氢氧化镍纳米片阵列,随后通过退火处理将氢氧化镍纳米片阵列氧化成氧化镍纳米片阵列,该制备方法工艺简单,成本较低,且易实现工业大规模生产。
搜索关键词: 氧化 纳米 阵列 制备 方法 甲醛 传感器
【主权项】:
一种氧化镍纳米片阵列的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:S1、制取铵盐、镍盐和碱的混合溶液;S2、将衬底放入步骤S1中制取的混合溶液中,并保温;S3、将步骤S2中的衬底从混合溶液中取出,并进行退火处理,得到形成在衬底上的氧化镍纳米片阵列。
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