[发明专利]II型核壳结构半导体纳米晶的制备方法无效
| 申请号： | 201310043066.4 | 申请日： | 2013-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103184045A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 李林松;申怀彬;徐巍巍 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 475001*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了具有II型结构半导体纳米晶（CdS/ZnSe，ZnSe/CdSe，CdTe/CdSe，CdTe/CdS等）及其制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。本方法避免了目前国际上的使用三丁基膦（tributylphosphine，TBP）或三辛基膦(trioctylphosphine，TOP)溶解硒或者碲作为硒或碲的前躯体，而是采用常规溶剂溶解硒或碲作为硒或碲前躯体。合成过程简单，重复性好，安全环保，无需手套箱，可节约成本60%以上。本发明合成的CdS/ZnSe，ZnSe/CdSe等II型核壳结构纳米晶荧光范围为400—650nm，量子产率可达60%以上。合成的CdTe/CdSe，CdTe/CdS等II型核壳结构纳米晶荧光范围覆盖600-950nm，在近红外区域量子产率最高可达75%，并且具有良好的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | ii 型核壳 结构 半导体 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
II型核壳结构半导体纳米晶的制备方法，将点状颗粒的CdS或ZnSe或CdTe纳米晶溶于高沸点有机溶剂并于惰性环境下除去溶液中的氧气得到溶液1，然后将12族元素的前驱体与硫属元素前驱体分别溶于相同溶剂的溶液混合得到混合液2，将混合液2滴加至溶液1中，混合溶液加热至200‑300℃使纳米晶生长，得到以CdS或ZnSe或CdTe纳米晶为核，以硫属化物为壳的II型核壳结构纳米晶；所述溶剂为溶点不大于60℃的非配位溶剂；12族元素与硫属的物质的量比为1：1‑1.5。
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